Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Note globale
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    39 left arrow 46
    Autour de -18% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.4 left arrow 12
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.2 left arrow 7.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    14900 left arrow 12800
    Autour de 1.16 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 39
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.5 left arrow 9.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1959 left arrow 2509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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