Comparaison de la RAM Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Note globale

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 10.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.2 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

14900 10600

Autour de 1.41% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 39

Autour de -39% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

9-10-9-28 / 1866 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2509 1570

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns