Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Note globale
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Autour de 4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.9 left arrow 10.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.5 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.9 left arrow 10.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.5 left arrow 8.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1620 left arrow 1570
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons