RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
65
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
64
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link