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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.9
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
11.9
10.5
書き込み速度、GB/秒
8.5
8.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1570
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Frequency (Mhz) *
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