Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.2 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    14900 left arrow 10600
    Около 1.41% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 39
    Около -39% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 10.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.2 left arrow 8.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2509 left arrow 1570
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения