RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Сравнить
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
14900
10600
Около 1.41% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
10600
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2509
1570
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link