RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Сравнить
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
14900
10600
Около 1.41% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
10600
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2509
1570
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link