RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2316
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link