RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2316
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link