RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2943
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link