RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
2808
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Jinyu 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link