Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    14900 left arrow 10600
    Intorno 1.41% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Intorno -39% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 10.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.2 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2509 left arrow 1570
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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