RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991586 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Mushkin 991586 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991586 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2156
1998
Mushkin 991586 2GB RAM-Vergleiche
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link