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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
1254
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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