Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Gesamtnote
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterschiede

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 63
    Rund um -110% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.1 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 5.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.0 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1130 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche