Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 63
    Wokół strony -110% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.1 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.1 left arrow 5.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    63 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    7.7 left arrow 11.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.0 left arrow 6.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1130 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania