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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
63
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
2584
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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