Porównanie pamięci RAM Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 63

Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.7 7.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.3 5.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 10600

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1130 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns