RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3047
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link