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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
48
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
48
Velocidade de leitura, GB/s
15.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
15.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3047
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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