RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2340
3495
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link