Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 42
    Rund um -35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 6.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.0 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1396 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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