Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 42
    Intorno -35% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.9 left arrow 9.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 6.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.7 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.0 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1396 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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