RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
41
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1982
2356
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link