RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3104
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link