RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
23.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
19.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
4276
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link