RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
4276
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link