RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3859
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link