RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3909
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link