RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
2737
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link