RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2495
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link