RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
104
Rund um -300% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3204
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link