RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3204
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link