RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2098
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link