RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2989
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link