RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2989
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link