RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2312
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link