RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2933
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Mushkin 991586 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link