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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
37
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2933
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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