RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2737
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link