RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2737
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link