RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2321
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link