RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2321
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link