RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
92
Rund um -207% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3142
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link