RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3632
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link