RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
92
Rund um -318% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3174
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link