RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
92
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2895
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link