RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2393
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link