RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
92
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1855
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link