RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
92
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1763
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link