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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
85
92
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1772
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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