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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.9
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1691
3671
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CAS Latency (CL) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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